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MMBT2222LT1G 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MMBT2222LT1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS GP SS NPN 30V SOT23
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):600mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
功率_最大:225mW
頻率_轉換:250MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:剪切帶 (CT)

MMBT2222LT1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS GP SS NPN 30V SOT23
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):600mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
功率_最大:225mW
頻率_轉換:250MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:Digi-Reel®

MMBT2222LT1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS GP SS NPN 30V SOT23
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):600mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
功率_最大:225mW
頻率_轉換:250MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:帶卷 (TR)

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