MMBTA63詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR DARL PNP SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:PNP - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444(最大):1.2A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 100µA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 頻率_轉換:125MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23
- 包裝:帶卷 (TR)
MMBTA63-7詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP DARL -30V SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:PNP - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 100µA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:125MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
MMBTA63-7詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP DARL -30V SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:PNP - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 100µA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:125MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
MMBTA63-7-F詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR DARL PNP 30V SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:PNP - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 100µA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:125MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
MMBTA63-7-F詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR DARL PNP 30V SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:PNP - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 100µA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:125MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:Digi-Reel®
MMBTA63-7-F詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR DARL PNP 30V SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:PNP - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 100µA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:125MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
- RF 評估和開發套件,板 CEL 4-SMD,扁平引線 EVAL BOARD NE6510179A 3.5GHZ
- 風扇 - DC Orion Fans 軸向 FAN 40X06MM 5V
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Fairchild Semiconductor 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC SCHMITT TRIGG HEX INV 14TSSOP
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR DARL PNP SOT-23
- 光纖 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 2M
- 壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 200PSI M20-1.5 6G .5-4.5V
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 塑模盤 CABLE 25-9PIN NT TO GE PLC 3M
- EMI/RFI(LC、RC 網絡) ON Semiconductor 8-VFDFN 裸露焊盤 IC FILTER 4CH EMI ESD PROT 8DFN
- RF 評估和開發套件,板 CEL SOT-343F EVAL BOARD NE663M04 1.9GHZ
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Fairchild Semiconductor 20-DIP(0.300",7.62mm) IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20DIP
- 光纖 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 3M
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 塑模盤 CABLE 25-9PIN NT TO GE PLC 3M
- RF 晶體管 (BJT) CEL SOT-143R TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-143R
- 壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 200PSI M20-1.5 6G .5-4.5V
- EMI/RFI(LC、RC 網絡) ON Semiconductor 15-WFBGA,FCBGA IC FILTER EMI ARRAY 6CH FLIPCHIP
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