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MMDT2222V-7 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MMDT2222V-7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANSISTOR DUAL NPN 40V SOT-563
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):600mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:300MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應商設備封裝:SOT-563
包裝:帶卷 (TR)

MMDT2222V-7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANSISTOR DUAL NPN 40V SOT-563
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):600mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:300MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應商設備封裝:SOT-563
包裝:剪切帶 (CT)

MMDT2222V-7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANSISTOR DUAL NPN 40V SOT-563
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):600mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:300MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應商設備封裝:SOT-563
包裝:Digi-Reel®

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