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MMDTA06-7 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MMDTA06-7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS NPN 80V DUAL SOT26
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):500mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
功率_最大:900mW
頻率_轉換:163MHz
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

MMDTA06-7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS NPN 80V DUAL SOT26
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):500mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
功率_最大:900mW
頻率_轉換:163MHz
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

MMDTA06-7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS NPN 80V DUAL SOT26
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):500mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
功率_最大:900mW
頻率_轉換:163MHz
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

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