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MPS2369 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MPS2369詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN SS HS 15V TO92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):200mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
電流_集電極截止(最大):400nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 10mA,1V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

MPS2369A詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR SW NPN 15V TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):200mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):400nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 100mA,1V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

MPS2369AG詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR SW NPN 15V TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):200mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):400nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 100mA,1V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

MPS2369ARLRP詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR SW NPN 15V TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):200mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):400nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 100mA,1V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶盒(TB)

MPS2369ARLRPG詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR SW NPN 15V TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):200mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):400nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 100mA,1V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶盒(TB)

MPS2369G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN SS HS 15V TO92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):200mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
電流_集電極截止(最大):400nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 10mA,1V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

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