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MPS751 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MPS751詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP TO-92
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:75 @ 1A,2V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:75MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

MPS751_D26Z詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 60V 2A TO-92
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 2A,2V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:75MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶卷 (TR)

MPS751G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS AMP PNP 2A 60V TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:75 @ 1A,2V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:75MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

MPS751RLRA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP SS 60V HI CURRENT TO92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:75 @ 1A,2V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:75MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:剪切帶 (CT)

MPS751RLRAG詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS AMP PNP 2A 60V TO92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:75 @ 1A,2V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:75MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:剪切帶 (CT)

MPS751RLRAG詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS AMP PNP 2A 60V TO92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:75 @ 1A,2V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:75MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶卷 (TR)

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