MPSA55詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP GEN PURP TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 頻率_轉換:50MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
MPSA55詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP GP BIPO LP 60V TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 頻率_轉換:50MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
MPSA55_D26Z詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS GP PNP 60V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 頻率_轉換:50MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶卷 (TR)
MPSA55_D27Z詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS GP PNP 60V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 頻率_轉換:50MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶卷 (TR)
MPSA55_D74Z詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS GP PNP 60V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 頻率_轉換:50MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶盒(TB)
MPSA55_D75Z詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS GP PNP 60V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 頻率_轉換:50MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶盒(TB)
- 二極管,整流器 - 陣列 ON Semiconductor TO-247-3 DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO-247AC
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 TRANS NPN 200V 200MA TO-92
- PMIC - 穩壓器 - 線性 + 切換式 Maxim Integrated 28-SSOP(0.209",5.30mm 寬) IC REG QD BCK/LINEAR SYNC 28SSOP
- 邏輯 - 移位寄存器 ON Semiconductor 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC SHIFT REGISTER 8BIT 16SOIC
- 邏輯 - 鎖銷 ON Semiconductor 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC LATCH OCTAL D 3ST 20-SOICW
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay BC Components 1206(3216 公制) RES 4.22K OHM 1/4W .1% SMD 1206
- 嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 357-BBGA IC MPU POWERQUICC 133MHZ 357PBGA
- PMIC - 監控器 Maxim Integrated 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC MPU SUPERVISOR CIRCUIT 16SOIC
- 嵌入式 - FPGA(現場可編程門陣列) Microsemi SoC 256-LBGA IC FPGA 8MB FLASH 1.5M 256-FBGA
- 邏輯 - 觸發器 ON Semiconductor 20-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC FLIP FLOP OCT D 3ST 20-TSSOP
- 邏輯 - 觸發器 ON Semiconductor 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC FLIP FLOP DUAL SET/RST 14SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay BC Components 1206(3216 公制) RES 4.30K OHM 1/4W .1% SMD 1206
- 嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 357-BBGA IC MPU POWERQUICC 100MHZ 357PBGA
- PMIC - 監控器 Maxim Integrated 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC SUPERVISOR MPU 16-SOIC
- 嵌入式 - FPGA(現場可編程門陣列) Microsemi SoC 484-BGA IC FPGA 8MB FLASH 1.5M 484-FBGA
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