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MPSA55RLRA 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MPSA55RLRA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP SS GP 60V TO92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):500mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:50MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:剪切帶 (CT)

MPSA55RLRAG詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP GP SS 60V TO92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):500mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:50MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:剪切帶 (CT)

MPSA55RLRAG詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP GP SS 60V TO92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):500mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:50MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶卷 (TR)

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