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MPSW51 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MPSW51A詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP SS 1W 40V TO92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 100mA,1V
功率_最大:1W
頻率_轉換:50MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 長體
供應商設備封裝:TO-92
包裝:散裝

MPSW51AG詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 1W 40V TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 100mA,1V
功率_最大:1W
頻率_轉換:50MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 長體
供應商設備封裝:TO-92
包裝:散裝

MPSW51ARLRA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP GP BIPO 1W 40V TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 100mA,1V
功率_最大:1W
頻率_轉換:50MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體成型引線
供應商設備封裝:TO-92
包裝:帶卷 (TR)

MPSW51ARLRAG詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP GP BIPO 1W 40V TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 100mA,1V
功率_最大:1W
頻率_轉換:50MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體成型引線
供應商設備封裝:TO-92
包裝:帶卷 (TR)

MPSW51ARLRP詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP GP BIPO 1W 40V TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 100mA,1V
功率_最大:1W
頻率_轉換:50MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體成型引線
供應商設備封裝:TO-92
包裝:帶盒(TB)

MPSW51ARLRPG詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP GP BIPO 1W 40V TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 100mA,1V
功率_最大:1W
頻率_轉換:50MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體成型引線
供應商設備封裝:TO-92
包裝:帶盒(TB)

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