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MRF5812GR2 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MRF5812GR2詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC
系列:-
制造商:Microsemi Power Products Group
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
頻率_轉換:5GHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益:13dB ~ 15.5dB
功率_最大:1.25W
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:50 @ 50mA,5V
電流_集電極333Ic444(最大):200mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:剪切帶 (CT)

MRF5812GR2詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC
系列:-
制造商:Microsemi Power Products Group
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
頻率_轉換:5GHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益:13dB ~ 15.5dB
功率_最大:1.25W
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:50 @ 50mA,5V
電流_集電極333Ic444(最大):200mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:Digi-Reel®

MRF5812GR2詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC
系列:-
制造商:Microsemi Power Products Group
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
頻率_轉換:5GHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益:13dB ~ 15.5dB
功率_最大:1.25W
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:50 @ 50mA,5V
電流_集電極333Ic444(最大):200mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)

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