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MSB709 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MSB709-RT1詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS GP PNP -45V SC59
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:210 @ 2mA,10V
功率_最大:200mW
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SC-59
包裝:帶卷 (TR)

MSB709-RT1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS GP PNP -45V SC59
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:210 @ 2mA,10V
功率_最大:200mW
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SC-59
包裝:帶卷 (TR)

MSB709-RT1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS GP PNP -45V SC59
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:210 @ 2mA,10V
功率_最大:200mW
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SC-59
包裝:剪切帶 (CT)

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