MT4VDDT1664HY-40BK1 全國供應商、價格、PDF資料

MT4VDDT1664HY-40BK1詳細規格

類別：存儲器 - 模塊

描述：MODULE DDR SDRAM 128MB 200SODIMM

系列：-

制造商：Micron Technology Inc

存儲器類型：DDR SDRAM

存儲容量：128MB

速度：400MT/s

特點：-

封裝/外殼：200-SODIMM

• NE5531079A-T1-A

  RF FET    CEL    4-SMD，扁平引線    FET RF LDMOS 460MHZ 7.5V 79A

• MT4VDDT1664HG-335F3

  存儲器 - 模塊    Micron Technology Inc    200-SODIMM    MODULE SDRAM DDR 128MB 200SODIMM

• MFR-25FRF-8K06

  通孔電阻器    Yageo    軸向    RES 8.06KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R

• HM2R02PA5101E9

  背板 - 硬公制，標準    FCI        CONN RECEPT 125POS TYPE B R/A

• NE3514S02-T1D-A

  RF FET    CEL    4-SMD，扁平引線    HJ-FET NCH 10DB S02

• NLFV25T-330K-PF

  固定式    TDK Corporation    非標準    INDUCTOR SHIELD 33UH 10% 252018

• NOSW476M004R0150

  氧化鈮    AVX Corporation    2312（6032 公制）    CAP NIOB OXIDE 47UF 4V 2312

• NE5532AD8R2G

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    ON Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC

• MT5000-3/8-9-SP

  熱縮管    TE Connectivity        HEAT SHRINK TUBING

• NE3515S02-T1C-A

  RF FET    CEL    4-SMD，扁平引線    FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

• HM2R02PA5108E9

  背板 - 硬公制，標準    FCI        CONN RECEPT 125POS TYPE B R/A

• NLFV25T-470K-PF

  固定式    TDK Corporation    非標準    INDUCTOR SHIELD 47UH 10% 252018

• NOSW686M002R0150

  氧化鈮    AVX Corporation    2312（6032 公制）    CAP NIOB OXIDE 68UF 2.5V 2312

• MT5000-3/8-X-SP

  熱縮管    TE Connectivity        HEAT SHRINK TUBING

• MT4VDDT3264HG-40BF2

  存儲器 - 模塊    Micron Technology Inc    200-SODIMM    MODULE DDR 256MB 200-SODIMM