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MTM861280LBF 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MTM861280LBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 1A WSSMINI6-F1
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:420 毫歐 @ 500mA,4V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:80pF @ 10V
功率_最大:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:WSS迷你型6-F1
供應商設備封裝:WS迷你型6-F1-B
包裝:剪切帶 (CT)

MTM861280LBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 1A WSSMINI6-F1
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:420 毫歐 @ 500mA,4V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:80pF @ 10V
功率_最大:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:WSS迷你型6-F1
供應商設備封裝:WS迷你型6-F1-B
包裝:帶卷 (TR)

MTM861280LBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 1A WSSMINI6-F1
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:420 毫歐 @ 500mA,4V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:80pF @ 10V
功率_最大:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:WSS迷你型6-F1
供應商設備封裝:WS迷你型6-F1-B
包裝:Digi-Reel®

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