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MUN5230DW1T1G 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MUN5230DW1T1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):1k
電阻器_發射極333R2444(歐):1k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:3 @ 5mA,10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 5mA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:-
功率_最大:250mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:剪切帶 (CT)

MUN5230DW1T1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):1k
電阻器_發射極333R2444(歐):1k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:3 @ 5mA,10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 5mA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:-
功率_最大:250mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:帶卷 (TR)

MUN5230DW1T1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):1k
電阻器_發射極333R2444(歐):1k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:3 @ 5mA,10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 5mA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:-
功率_最大:250mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:Digi-Reel®

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