MVE63VC33RMH10TP 全國供應商、價格、PDF資料

MVE63VC33RMH10TP詳細規格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 33UF 63V 20% SMD

系列：MVE

制造商：United Chemi-Con

電容：33µF

額定電壓：63V

容差：±20%

壽命0a0溫度：105°C 時為 2000 小時

工作溫度：-40°C ~ 105°C

特點：通用

紋波電流：140mA

ESR（等效串聯電阻）：6.027 歐姆

阻抗：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：徑向，Can - SMD

尺寸/尺寸：0.315" 直徑（8.00mm）

高度_座高（最大）：0.394"（10.00mm）

引線間隔：-

表面貼裝占地面積：0.327" L x 0.327" W（8.30mm x 8.30mm）

包裝：帶卷 (TR)

• MCR18EZHF2703

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 270K OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• HF70ACB322513-T

  鐵氧體磁珠和芯片    TDK Corporation    1210（3225 公制）    FERRITE CHIP 52 OHM 400MA 1210

• MX34012SF1

  矩形 - 外殼    JAE Electronics    48-TFBGA，CSPBGA    CONN SOCKET 12POS HOUSING 2.2MM

• MVE63VC2R2MD55TP

  電容器    United Chemi-Con    徑向，Can - SMD    CAP ALUM 2.2UF 63V 20% SMD

• ONET4291PARGVR

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    16-VQFN 裸露焊盤    IC OPAMP LIMIT DIFF 4.5GHZ 16QFN

• MCR03FZPEFX1211

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 1.21K OHM 1/10W 1% 0603

• MT36VDDF25672Y-40BD2

  存儲器 - 模塊    Micron Technology Inc    184-DIMM    MODULE SDRAM DDR 2GB 184DIMM

• MT8VDDT6464AY-40BF3

  存儲器 - 模塊    Micron Technology Inc    184-DIMM    MODULE DDR SDRAM 512MB 184-DIMM

• MCR18EZHF2802

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 28.0K OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• ONET8501PBRGTT

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    16-VFQFN 裸露焊盤    IC OPAMP LIMITING 9GHZ SGL 16QFN

• HF70ACC201209-T

  鐵氧體磁珠和芯片    TDK Corporation    0805（2012 公制）    FERRITE CHIP 10 OHM 1.5A 0805

• MCR03FZPEFX4021

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 4.02K OHM 1/10W 1% 0603

• MT38AF518RSMM-001

  RF配件    Laird Technologies IAS    TO-5-2 透鏡頂部金屬罐    ACCY MOUNT BMM 3/8 A195 RSMAM

• MCR18EZHF2803

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 280K OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• ONET8501VRGPRG4

  PMIC - 激光驅動器    Texas Instruments    20-VFQFN 裸露焊盤    IC LASR DRVR 11.3GBPS 3.6V 20QFN