MVE63VE471ML22TR 全國供應商、價格、PDF資料

MVE63VE471ML22TR詳細規格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 470UF 63V 20% SMD

系列：MVE

制造商：United Chemi-Con

電容：470µF

額定電壓：63V

容差：±20%

壽命0a0溫度：105°C 時為 2000 小時

工作溫度：-40°C ~ 105°C

特點：通用

紋波電流：900mA

ESR（等效串聯電阻）：494 毫歐

阻抗：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：徑向，Can - SMD

尺寸/尺寸：0.630" 直徑（16.00mm）

高度_座高（最大）：0.846"（21.50mm）

引線間隔：-

表面貼裝占地面積：0.669" L x 0.669" W（17.00mm x 17.00mm）

包裝：托盤

• MT8VDDT6464AY-40BF3

  存儲器 - 模塊    Micron Technology Inc    184-DIMM    MODULE DDR SDRAM 512MB 184-DIMM

• MCR18EZHF2802

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 28.0K OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• MX34024NF1

  矩形- 接頭，公引腳    JAE Electronics    48-TFBGA，CSPBGA    CONN HEADER PIN 24POS R/A TIN

• MVE63VC33RMH10TP

  電容器    United Chemi-Con    徑向，Can - SMD    CAP ALUM 33UF 63V 20% SMD

• ONET8501PBRGTT

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    16-VFQFN 裸露焊盤    IC OPAMP LIMITING 9GHZ SGL 16QFN

• HF70ACC201209-T

  鐵氧體磁珠和芯片    TDK Corporation    0805（2012 公制）    FERRITE CHIP 10 OHM 1.5A 0805

• MCR03FZPEFX4021

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 4.02K OHM 1/10W 1% 0603

• MT38AF518RSMM-001

  RF配件    Laird Technologies IAS    TO-5-2 透鏡頂部金屬罐    ACCY MOUNT BMM 3/8 A195 RSMAM

• MCR18EZHF2803

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 280K OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• MX34036SF1

  矩形 - 外殼    JAE Electronics    48-TFBGA，CSPBGA    CONN SOCKET 36POS HOUSING 2.2MM

• HF70ACC321611-T

  鐵氧體磁珠和芯片    TDK Corporation    1206（3216 公制）    FERRITE CHIP 26 OHM 1.5A 1206

• MT8VDDT6464HY-40BF2

  存儲器 - 模塊    Micron Technology Inc    200-SODIMM    MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM

• MT41J128M16HA-125G:D TR

  存儲器    Micron Technology Inc    96-TFBGA    IC DDR3 SDRAM 2GBIT 96FBGA

• MCR03FZPEJ152

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 1.5K OHM 1/10W 5% 0603

• MCR18EZHF2803

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 280K OHM 1/4W 1% 1206 SMD