MVY10VC101MF55TP 全國供應商、價格、PDF資料

MVY10VC101MF55TP詳細規格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 100UF 10V 20% SMD

系列：MVY

制造商：United Chemi-Con

電容：100µF

額定電壓：10V

容差：±20%

壽命0a0溫度：105°C 時為 1000 小時

工作溫度：-55°C ~ 105°C

特點：通用

紋波電流：140mA

ESR（等效串聯電阻）：-

阻抗：1 歐姆

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：徑向，Can - SMD

尺寸/尺寸：0.248" 直徑（6.30mm）

高度_座高（最大）：0.205"（5.20mm）

引線間隔：-

表面貼裝占地面積：0.260" L x 0.260" W（6.60mm x 6.60mm）

包裝：帶卷 (TR)

• MCR18ERTF3321

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 3.32K OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• MT48LC4M16A2P-6 IT:G TR

  存儲器    Micron Technology Inc    54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）    IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 54TSOP

• MVU18-8FBK

  端子 - 鏟形    3M    19-SMD    CONN TERM SPADE INS 22-18AWG #8

• MCR03EZPFX5623

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 562K OHM 1/10W 1% 0603 SMD

• MT18VDVF12872Y-335F1

  存儲器 - 模塊    Micron Technology Inc    184-DIMM    MODULE DDR 1GB 184-DIMM VLP

• MX1H5615

  單二極管/整流器    Microsemi Commercial Components Group    軸向    DIODE 1A 200V AXIAL

• MV036T360M003

  DC DC 轉換器（分解式）    Vicor Corporation    模塊    MIL-COTS VTM CURRENT MULTIPLIER

• MT47H64M16HR-3:H TR

  存儲器    Micron Technology Inc    84-TFBGA    IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84FBGA

• MCR18ERTF33R0

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 33.0 OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• MCR03EZPFX56R2

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 56.2 OHM 1/10W 1% 0603 SMD

• MT-19

  接線座 - 隔板塊    Curtis Industries    184-DIMM    TERM BARRIER 19CIRC DUAL ROW

• MT47H64M8B6-25E IT:D TR

  存儲器    Micron Technology Inc    60-FBGA    IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60VFBGA

• MV-064064-25-8A

  標簽，標記    TE Connectivity    模塊    LABEL ID PRODUCT

• MX23A36NF1

  矩形- 接頭，公引腳    JAE Electronics    軸向    CONN HEADER PIN 36POS R/A TIN

• MT48LC4M16A2P-75 IT:G TR

  存儲器    Micron Technology Inc    54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）    IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP