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NCP5359ADR2G 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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NCP5359ADR2G詳細規格

類別:PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關
描述:IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC
系列:-
制造商:ON Semiconductor
類型:
配置:高端和低端,同步
輸入類型:PWM
延遲時間:10ns
導通電阻:
電流_峰值:-
電流_輸出/通道:
配置數:1
電流_峰值輸出:
輸出數:2
高壓側電壓_最大值(自舉):30V
電壓_電源:10 V ~ 13.2 V
工作溫度:0°C ~ 85°C
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝:8-SOIC N
包裝:剪切帶 (CT)

NCP5359ADR2G詳細規格

類別:PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關
描述:IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC
系列:-
制造商:ON Semiconductor
類型:
配置:高端和低端,同步
輸入類型:PWM
延遲時間:10ns
導通電阻:
電流_峰值:-
電流_輸出/通道:
配置數:1
電流_峰值輸出:
輸出數:2
高壓側電壓_最大值(自舉):30V
電壓_電源:10 V ~ 13.2 V
工作溫度:0°C ~ 85°C
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)

NCP5359ADR2G詳細規格

類別:PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關
描述:IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC
系列:-
制造商:ON Semiconductor
類型:
配置:高端和低端,同步
輸入類型:PWM
延遲時間:10ns
導通電阻:
電流_峰值:-
電流_輸出/通道:
配置數:1
電流_峰值輸出:
輸出數:2
高壓側電壓_最大值(自舉):30V
電壓_電源:10 V ~ 13.2 V
工作溫度:0°C ~ 85°C
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝:8-SOIC N
包裝:Digi-Reel®

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