NDD04N60Z-1G 全國供應商、價格、PDF資料
NDD04N60Z-1G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 歐姆 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.5V @ 50µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:640pF @ 25V
- 功率_最大:83W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
- 供應商設備封裝:I-Pak
- 包裝:管件
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 23CIRC 9.50MM
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 120UH 5% 1812
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC
- FET - 陣列 Fairchild Semiconductor SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 MOSFET N-CH DUAL 50V 6-SSOT
- 存儲器 Micron Technology Inc 54-TSOP(0.400",10.16mm 寬) IC SDRAM 512MB 133MHZ 54-TSOPII
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 825K OHM 1/4W 1% METAL FILM
- FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N+P 30V 4.8A 8-SOIC
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 18UH 5% 1812
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR WW PWR 10UH 550MA 10%
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 82.5 OHM 1/4W 1% METAL FILM
- 存儲器 Micron Technology Inc 54-TSOP(0.400",10.16mm 寬) IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54TSOP
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 220UH 5% 1812
- FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N+P 30V 4.8A 8-SOIC
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR 100UH 10% 453232
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 17CIRC 9.50MM
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