NDF08N50ZH 全國供應商、價格、PDF資料
NDF08N50ZH詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N CH 500V 8.5A TO220FP
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:*
- 漏極至源極電壓333Vdss444:500V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:8.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:850 毫歐 @ 3.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.5V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:46nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:*
- 功率_最大:35W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝:TO-220FP
- 包裝:管件
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
- 存儲器 Micron Technology Inc 54-TSOP(0.400",10.16mm 寬) IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54TSOP
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR 150UH 10% 453232
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 3CIRC 11MM
- 背板 - 硬公制,標準 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 10.0KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 存儲器 Micron Technology Inc 54-TSOP(0.400",10.16mm 寬) IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 54TSOP
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 3.9UH 5% 1812
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 5CIRC 11MM
- 背板 - 硬公制,標準 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC
- 存儲器 Micron Technology Inc 54-TSOP(0.400",10.16mm 寬) IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54TSOP
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 3.9UH 5% 1812
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 11.3KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
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