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NE85633-T1B 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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NE85633-T1B詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS NPN 1GHZ SOT-23
系列:-
制造商:CEL
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
頻率_轉換:7GHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
增益:9dB
功率_最大:200mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:50 @ 20mA,10V
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23
包裝:剪切帶 (CT)

NE85633-T1B詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS NPN 1GHZ SOT-23
系列:-
制造商:CEL
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
頻率_轉換:7GHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
增益:9dB
功率_最大:200mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:50 @ 20mA,10V
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23
包裝:帶卷 (TR)

NE85633-T1B-R24-A詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23
系列:-
制造商:CEL
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
頻率_轉換:7GHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
增益:9dB
功率_最大:200mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:50 @ 20mA,10V
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23
包裝:帶卷 (TR)

NE85633-T1B-R25-A詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23
系列:-
制造商:CEL
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
頻率_轉換:7GHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
增益:9dB
功率_最大:200mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:50 @ 20mA,10V
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23
包裝:帶卷 (TR)

NE85633-T1B-R25-A詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23
系列:-
制造商:CEL
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
頻率_轉換:7GHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
增益:9dB
功率_最大:200mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:50 @ 20mA,10V
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23
包裝:Digi-Reel®

NE85633-T1B-R25-A詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23
系列:-
制造商:CEL
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
頻率_轉換:7GHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
增益:9dB
功率_最大:200mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:50 @ 20mA,10V
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23
包裝:剪切帶 (CT)

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