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NIC9N05ATS1 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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NIC9N05ATS1詳細規格

類別:FET - 單
描述:IGBT N-CH 52V 9A BARE DIE
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:52V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:95 毫歐 @ 12A,12V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 40V
功率_最大:1.74W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

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