NOJD107M010RWJ 全國供應商、價格、PDF資料

NOJD107M010RWJ詳細規格

類別：氧化鈮

描述：CAP NIOB OXIDE 100UF 10V 2917

系列：OxiCap® NOJ

制造商：AVX Corporation

電容：100µF

電壓_額定：10V

容差：±20%

ESR（等效串聯電阻）：400 毫歐

電流_泄漏電流：20µA

耗散因數：12%

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：2917（7343 公制）

制造商尺寸代碼：D

高度_座高（最大）：0.122"（3.10mm）

特點：-

工作溫度：-55°C ~ 105°C

包裝：帶卷 (TR)

• HMK325B7105KN-T

  陶瓷    Taiyo Yuden    1210（3225 公制）    CAP CER 1UF 100V 10% X7R 1210

• NOJC476M006RWJ

  氧化鈮    AVX Corporation    2312（6032 公制）    CAP NIOB OXIDE 47UF 6.3V 2312

• NSBC114TF3T5G

  晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式    ON Semiconductor    SOT-1123    TRANS NPN W/RES 50V SOT1123

• MIC2182YM

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器    Micrel Inc    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SOIC

• NP110N055PUJ-E2B-AY

  FET - 單    Renesas Electronics America    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263

• NOJA475M010RWJ

  氧化鈮    AVX Corporation    1206（3216 公制）    CAP NIOB OXIDE 4.7UF 10V 1206

• HMK325B7225KN-L

  陶瓷    Taiyo Yuden    1206（3216 公制）    CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1206

• P1168.242NLT

  固定式    Pulse Electronics Corporation    非標準    INDUCTOR PWR SHIELD 2.4UH SMD

• MGA-632P8-BLKG

  RF 放大器    Avago Technologies US Inc.    8-WFDFN 裸露焊盤    IC AMP LNA MMIC GAAS SMD 8-TSLP

• NP32N055SHE-E1-AY

  FET - 單    Renesas Electronics America    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 55V 32A TO-252

• MIC2183BM

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器    Micrel Inc    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SOIC

• NOJB226M004RWJ

  氧化鈮    AVX Corporation    1210（3528 公制）    CAP NIOB OXIDE 22UF 4V 1210

• HMK325B7225KN-T

  陶瓷    Taiyo Yuden    1210（3225 公制）    CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1210

• P1168.273NLT

  固定式    Pulse Electronics Corporation    非標準    INDUCTOR PWR SHIELD 27UH SMD

• MGA-634P8-BLKG

  RF 放大器    Avago Technologies US Inc.    8-WFDFN 裸露焊盤    IC LNA ULTRA LOW NOISE ACT BIAS