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NP0G3D200A 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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NP0G3D200A詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:TRANS ARRAY PNP/NPN SSS MINI-6P
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):80mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):4.7k,22k
電阻器_發射極333R2444(歐):4.7k,47k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 5mA,10V / 80 @ 5mA,10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:150MHz,80MHz
功率_最大:125mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-963
供應商設備封裝:SSS迷你型6-F1
包裝:剪切帶 (CT)

NP0G3D200A詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:TRANS ARRAY PNP/NPN SSS MINI-6P
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):80mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):4.7k,22k
電阻器_發射極333R2444(歐):4.7k,47k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 5mA,10V / 80 @ 5mA,10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:150MHz,80MHz
功率_最大:125mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-963
供應商設備封裝:SSS迷你型6-F1
包裝:帶卷 (TR)

NP0G3D200A詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:TRANS ARRAY PNP/NPN SSS MINI-6P
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):80mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):4.7k,22k
電阻器_發射極333R2444(歐):4.7k,47k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 5mA,10V / 80 @ 5mA,10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:150MHz,80MHz
功率_最大:125mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-963
供應商設備封裝:SSS迷你型6-F1
包裝:Digi-Reel®

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