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NP100P06PDG-E1-AY 全國供應商、價格、PDF資料

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NP100P06PDG-E1-AY詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263
系列:-
制造商:Renesas Electronics America
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫歐 @ 50A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:300nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:15000pF @ 10V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:TO-263
包裝:帶卷 (TR)

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