NP36P04SDG-E1-AY 全國供應商、價格、PDF資料

NP36P04SDG-E1-AY詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH -40V -36A TO-252

系列：-

制造商：Renesas Electronics America

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：40V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 10V

功率_最大：1.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：TO-252（MP-3ZK）

包裝：帶卷 (TR)

NP36P04SDG-E1-AY詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH -40V -36A TO-252

系列：-

制造商：Renesas Electronics America

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：40V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 10V

功率_最大：1.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：TO-252（MP-3ZK）

包裝：剪切帶 (CT)

NP36P04SDG-E1-AY詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH -40V -36A TO-252

系列：-

制造商：Renesas Electronics America

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：40V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 10V

功率_最大：1.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：TO-252（MP-3ZK）

包裝：Digi-Reel®

• NSBC114YPDXV6T1G

  晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式    ON Semiconductor    SOT-563，SOT-666    TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

• MIC2183YM

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器    Micrel Inc    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SOIC

• NP33N06YDG-E1-AY

  FET - 單    Renesas Electronics America    8-SMD，扁平引線裸焊盤    MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON

• HMK325B7474MN-T

  陶瓷    Taiyo Yuden    1210（3225 公制）    CAP CER 0.47UF 100V 20% X7R 1210

• NOJB226M004RWJ

  氧化鈮    AVX Corporation    1210（3528 公制）    CAP NIOB OXIDE 22UF 4V 1210

• P1168.452NLT

  固定式    Pulse Electronics Corporation    非標準    INDUCTOR PWR SHIELD 4.5UH SMD

• MGA-64606-BLKG

  RF 放大器    Avago Technologies US Inc.    6-UFDFN 裸露焊盤    IC RF AMP LNA GAAS MMIC 6-UTP

• NOJD227M004RWJ

  氧化鈮    AVX Corporation    2917（7343 公制）    CAP NIOB OXIDE 220UF 4V 2917

• NSBC115TDP6T5G

  晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式    ON Semiconductor    SOT-963    TRANS ARR 2NPN W/RES 50V SOT963

• HMK432B7105KM-T

  陶瓷    Taiyo Yuden    1812（4532 公制）    CAP CER 1UF 100V 10% X7R 1812

• NOJB226M006RWJ

  氧化鈮    AVX Corporation    1210（3528 公制）    CAP NIOB OXIDE 22UF 6.3V 1210

• MGA-64606-TR1G

  RF 放大器    Avago Technologies US Inc.    6-UFDFN 裸露焊盤    IC RF AMP LNA GAAS MMIC 6-UTP

• P1168.682NLT

  固定式    Pulse Electronics Corporation    非標準    INDUCTOR PWR SHIELD 6.8UH SMD

• NOJD337M004RWJ

  氧化鈮    AVX Corporation    2917（7343 公制）    CAP NIOB OXIDE 330UF 4V 2917

• NSBC123EPDXV6T1G

  晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式    ON Semiconductor    SOT-563，SOT-666    TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563