NTB5605P詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:140 毫歐 @ 8.5A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1190pF @ 25V
- 功率_最大:88W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
NTB5605PG詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:140 毫歐 @ 8.5A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1190pF @ 25V
- 功率_最大:88W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
NTB5605PT4詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:140 毫歐 @ 8.5A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1190pF @ 25V
- 功率_最大:88W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
NTB5605PT4G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:140 毫歐 @ 8.5A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1190pF @ 25V
- 功率_最大:88W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
NTB5605PT4G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:140 毫歐 @ 8.5A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1190pF @ 25V
- 功率_最大:88W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
NTB5605PT4G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:140 毫歐 @ 8.5A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1190pF @ 25V
- 功率_最大:88W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
- 壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 75PSI 7/16-20-2B .5-4.5V
- FET - 單 ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
- 配件 Toko America Inc IC DATABOOK
- 風扇 - DC Orion Fans 軸向 FAN 40X10MM 24V 6CFM ALARM
- 壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 50PSI 1/4-18NPT .5-4.5V
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SYNCFIFO 1024X18X2 128-TQFP
- 存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 84-LCC(J 形引線) IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC
- RF 天線 Laird Technologies IAS 軸向 ANT OMNIDIR MESH 6DBI
- 壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 75PSI 7/16-20-2B 1-5V
- 風扇 - DC Orion Fans 軸向 FAN 40X10MM 24V TACH
- 壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 50PSI 1/4-18NPT 1-5V
- 存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 84-LCC(J 形引線) IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 56-TFSOP(0.240",6.10mm 寬) IC FIFO ASYNCH 1KX9 56TSSOP
- 風扇 - DC Orion Fans 軸向 FAN 60X10MM 12V 14CFM TACH
- 壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 75PSI 1/8-27NPT .5-4.5V
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