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NTD6600N 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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NTD6600N詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:146 毫歐 @ 6A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
功率_最大:1.28W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應商設備封裝:I-Pak
包裝:管件

NTD6600N-001詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:146 毫歐 @ 6A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
功率_最大:1.28W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應商設備封裝:I-Pak
包裝:管件

NTD6600N-1G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:146 毫歐 @ 6A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
功率_最大:1.28W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應商設備封裝:I-Pak
包裝:管件

NTD6600NT4詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:146 毫歐 @ 6A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
功率_最大:1.28W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

NTD6600NT4G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:146 毫歐 @ 6A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
功率_最大:1.28W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

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