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NTGD4167CT1G 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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NTGD4167CT1G詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N/P-CH 30V DUAL 6-TSOP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.6A,1.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 2.6A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.5nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:295pF @ 15V
功率_最大:900mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-74,SOT-457
供應商設備封裝:6-TSOP
包裝:Digi-Reel®

NTGD4167CT1G詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N/P-CH 30V DUAL 6-TSOP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.6A,1.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 2.6A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.5nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:295pF @ 15V
功率_最大:900mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-74,SOT-457
供應商設備封裝:6-TSOP
包裝:帶卷 (TR)

NTGD4167CT1G詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N/P-CH 30V DUAL 6-TSOP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.6A,1.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 2.6A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.5nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:295pF @ 15V
功率_最大:900mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-74,SOT-457
供應商設備封裝:6-TSOP
包裝:剪切帶 (CT)

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