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NTHD3101FT1G 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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NTHD3101FT1G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
系列:chipfet™
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫歐 @ 3.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.4nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:680pF @ 10V
功率_最大:1.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:ChipFET?
包裝:帶卷 (TR)

NTHD3101FT1G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
系列:chipfet™
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫歐 @ 3.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.4nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:680pF @ 10V
功率_最大:1.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:ChipFET?
包裝:剪切帶 (CT)

NTHD3101FT1G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
系列:chipfet™
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫歐 @ 3.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.4nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:680pF @ 10V
功率_最大:1.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:ChipFET?
包裝:Digi-Reel®

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