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當前位置:網站首頁 » 庫存索引411 » 型號"NTJD1155LT1G"的供應信息

NTJD1155LT1G 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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NTJD1155LT1G詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N+P 8V 1.3A SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫歐 @ 1.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:400mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:剪切帶 (CT)

NTJD1155LT1G詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫歐 @ 1.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:400mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:帶卷 (TR)

NTJD1155LT1G詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫歐 @ 1.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:400mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:Digi-Reel®

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