NTMS4176PR2G 全國供應商、價格、PDF資料

NTMS4176PR2G詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-SOIC

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.5A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 9.6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1720pF @ 24V

功率_最大：810mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• NTMS3P03R2

  FET - 單    ON Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

• MMSZ4700T1

  單二極管/齊納    ON Semiconductor    SOD-123    DIODE ZENER 13V 500MW SOD-123

• OPB931W55

  光學 - 光斷續器 - 槽型 - 邏輯輸出    TT Electronics/Optek Technology    模塊，預接線    SWITCH SLOTTED OPTICAL WIDE GAP

• MNR14E0ABJ113

  網絡、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 11K OHM 4 RES 1206

• P6KE300CA-HF

  TVS - 二極管    Comchip Technology    DO-204AC，DO-15，軸向    TVS 600W 300V 5% BIDIR DO-15

• ORNTV25025001UF

  網絡、陣列    Vishay Thin Film    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    RES NET MULT OHM 5 RES 8-SOIC

• IMC1210BN68NK

  固定式    Vishay Dale    1210（3225 公制）    INDUCTOR WW 68NH 10% 1210

• IDT71V35761SA200BGI

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    119-BGA    IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA

• MMSZ4700T1G

  單二極管/齊納    ON Semiconductor    SOD-123    DIODE ZENER 13V 500MW SOD-123

• MNR14E0ABJ113

  網絡、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 11K OHM 4 RES 1206

• P6KE300-G

  TVS - 二極管    Comchip Technology    DO-204AC，DO-15，軸向    TVS 600W 300V 10% UNIDIR DO-15

• ORNTV25025002T3

  網絡、陣列    Vishay Thin Film    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    RES NET MULT OHM 5 RES 8-SOIC

• IMC1210BN68NM

  固定式    Vishay Dale    1210（3225 公制）    INDUCTOR WW 68NH 20% 1210

• MMSZ4700T1G

  單二極管/齊納    ON Semiconductor    SOD-123    DIODE ZENER 13V 500MW SOD-123

• IDT71V35761SA200BQGI8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    165-TBGA    IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA