NTP5863NG詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 97A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:97A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.8 毫歐 @ 20A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3200pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
- 網絡、陣列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 200 OHM 4 RES 1206
- 光學 - 光斷續器 - 槽型 - 邏輯輸出 TT Electronics/Optek Technology PCB 安裝 SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL
- FET - 單 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 68NH 10% 1210
- 單二極管/齊納 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 24V 500MW SOD-123
- 存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP
- 網絡、陣列 Vishay Thin Film 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) RES NET 50K OHM 5 RES 8-SOIC
- 網絡、陣列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 2K OHM 4 RES 1206
- TVS - 二極管 Diodes Inc DO-204AC,DO-15,軸向 TVS UNI-DIR 33V 600W DO-15
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 6.8UH 10% 1210
- 存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 4MBIT 65NS 100TQFP
- 單二極管/齊納 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 24V 500MW SOD-123
- 網絡、陣列 Vishay Thin Film 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) RES NET MULT OHM 5 RES 8-SOIC
- 網絡、陣列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 20K OHM 4 RES 1206
- FET - 單 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 63A TO-220
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