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PBLS6002D,115 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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PBLS6002D,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:TRANSISTOR PNP 60V 6TSOP
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA,700mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V,60V
電阻器_基極333R1444(歐):4.7k
電阻器_發射極333R2444(歐):4.7k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 20mA,5V / 150 @ 500mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA / 340mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):1µA,100nA
頻率_轉換:185MHz
功率_最大:600mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-74,SOT-457
供應商設備封裝:6-TSOP
包裝:剪切帶 (CT)

PBLS6002D,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:LOADSWITCH PNP 60V 1A 6TSOP
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA,700mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V,60V
電阻器_基極333R1444(歐):4.7k
電阻器_發射極333R2444(歐):4.7k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 20mA,5V / 150 @ 500mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA / 340mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):1µA,100nA
頻率_轉換:185MHz
功率_最大:600mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-74,SOT-457
供應商設備封裝:6-TSOP
包裝:帶卷 (TR)

PBLS6002D,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:LOADSWITCH PNP 60V 1A 6TSOP
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA,700mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V,60V
電阻器_基極333R1444(歐):4.7k
電阻器_發射極333R2444(歐):4.7k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 20mA,5V / 150 @ 500mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA / 340mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):1µA,100nA
頻率_轉換:185MHz
功率_最大:600mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-74,SOT-457
供應商設備封裝:6-TSOP
包裝:帶卷 (TR)

PBLS6002D,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:TRANSISTOR PNP 60V 6TSOP
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA,700mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V,60V
電阻器_基極333R1444(歐):4.7k
電阻器_發射極333R2444(歐):4.7k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 20mA,5V / 150 @ 500mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA / 340mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):1µA,100nA
頻率_轉換:185MHz
功率_最大:600mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-74,SOT-457
供應商設備封裝:6-TSOP
包裝:Digi-Reel®

PBLS6002D,115供應商

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