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PBSS4032SN,115 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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PBSS4032SN,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS ARRAY NPN/NPN 30V 5.7A SO8
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):5.7A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):450mV @ 300mA,6A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 2A,2V
功率_最大:2.3W
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:剪切帶 (CT)

PBSS4032SN,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS ARRAY NPN/NPN 30V 5.7A SO8
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):5.7A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):450mV @ 300mA,6A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 2A,2V
功率_最大:2.3W
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)

PBSS4032SN,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS ARRAY NPN/NPN 30V 5.7A SO8
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):5.7A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):450mV @ 300mA,6A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 2A,2V
功率_最大:2.3W
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:Digi-Reel®

PBSS4032SN,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS ARRAY NPN/NPN 30V 5.7A SO8
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):5.7A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):450mV @ 300mA,6A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 2A,2V
功率_最大:2.3W
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)

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