PD85025S-E 全國供應商、價格、PDF資料

PD85025S-E詳細規格

類別：RF FET

描述：TRANS RF POWER LDMOST N-CH

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶體管類型：LDMOS

頻率：870MHz

增益：17.3dB

電壓_測試：13.6V

額定電流：7A

噪音數據：-

電流_測試：300mA

功率_輸出：10W

電壓_額定：40V

封裝/外殼：PowerSO-10 裸露底部焊盤

供應商設備封裝：PowerSO-10RF（直引線）

包裝：管件

• MS3456L8S-1S

  連接器，互連器件    Amphenol Industrial Operations        CONN PLUG 1POS STRAIGHT W/SCKT

• PF0465.153NLT

  固定式    Pulse Electronics Corporation    非標準    INDUCT PWR 15UH SMD

• PD0140WJ10238BJ1

  陶瓷    Vishay Beyschlag    軸向    CAP CER 1000PF 14KV 20% CHASSIS

• PHP01206E9760BST5

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Thin Film    1206（3216 公制）    RES 976 OHM 1W .1% 1206

• PD85015TR-E

  RF FET    STMicroelectronics    PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）    TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

• PSMN4R3-100ES,127

  FET - 單    NXP Semiconductors    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

• PE-53690NL

  固定式    Pulse Electronics Corporation    非標準    INDUCT PWR 1.25UH SMD

• PCR0805-1KJ1

  芯片電阻 - 表面安裝    Riedon    0805（2012 公制）    RES 1K OHM 1/4W 5% 0805

• PF0465.183NLT

  固定式    Pulse Electronics Corporation    非標準    INDUCT PWR 18UH SMD

• PD0140WJ50136BH1

  陶瓷    Vishay Beyschlag    軸向    CAP CER 500PF 14KV 10% CHASSIS

• PHP02512E1001BST5

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Thin Film    2512（6432 公制）    RES 1.00K OHM 2.5W .1% 2512

• PE-53692NLT

  固定式    Pulse Electronics Corporation    非標準    INDUCT PWR 6.5UH SMD

• PSMN4R3-30PL,127

  FET - 單    NXP Semiconductors    TO-220-3    MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

• PCR0805-1RJ1

  芯片電阻 - 表面安裝    Riedon    0805（2012 公制）    RES 1 OHM 1/4W 5% 0805

• PD85025TR-E

  RF FET    STMicroelectronics    PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）    TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF