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PEMD6,115 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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PEMD6,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):4.7k
電阻器_發射極333R2444(歐):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 1mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
電流_集電極截止(最大):1µA
頻率_轉換:-
功率_最大:300mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應商設備封裝:SOT-666
包裝:帶卷 (TR)

PEMD6,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):4.7k
電阻器_發射極333R2444(歐):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 1mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
電流_集電極截止(最大):1µA
頻率_轉換:-
功率_最大:300mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應商設備封裝:SOT-666
包裝:帶卷 (TR)

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