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PH20100S,115 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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PH20100S,115詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 34.3A LFPAK
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:34.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2264pF @ 25V
功率_最大:62.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供應商設備封裝:LFPAK,Power-SO8
包裝:剪切帶 (CT)

PH20100S,115詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 34.3A LFPAK
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:34.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2264pF @ 25V
功率_最大:62.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供應商設備封裝:LFPAK,Power-SO8
包裝:帶卷 (TR)

PH20100S,115詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 34.3A LFPAK
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:34.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2264pF @ 25V
功率_最大:62.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供應商設備封裝:LFPAK,Power-SO8
包裝:Digi-Reel®

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