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PHD21N06LT,118 全國供應商、價格、PDF資料

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PHD21N06LT,118詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 19A SOT428
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:19A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:9.4nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
功率_最大:56W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

PHD21N06LT,118供應商

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