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PHD22NQ20T,118 全國供應商、價格、PDF資料

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PHD22NQ20T,118詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 21.1A SOT428
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:21.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫歐 @ 12A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:30.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1380pF @ 25V
功率_最大:150W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

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