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PHT8N06LT 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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PHT8N06LT,135詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫歐 @ 5A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:11.2nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SC-73
包裝:剪切帶 (CT)

PHT8N06LT,135詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫歐 @ 5A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:11.2nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SC-73
包裝:帶卷 (TR)

PHT8N06LT,135詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫歐 @ 5A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:11.2nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SC-73
包裝:Digi-Reel®

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