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PMK30EP,518 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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PMK30EP,518詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH FET 30V 14.9A 8-SOIC
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:14.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫歐 @ 9.2A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2240pF @ 25V
功率_最大:6.9W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)

PMK30EP,518詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH FET 30V 14.9A 8-SOIC
系列:*
制造商:NXP Semiconductors
FET型:
FET特點:
漏極至源極電壓333Vdss444:
電流_連續漏極333Id4440a025000C:
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:
Id時的Vgs333th444(最大):
閘電荷333Qg4440a0Vgs:
輸入電容333Ciss4440a0Vds:
功率_最大:
安裝類型:
封裝/外殼:
供應商設備封裝:
包裝:

PMK30EP,518詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH FET 30V 14.9A 8-SOIC
系列:*
制造商:NXP Semiconductors
FET型:
FET特點:
漏極至源極電壓333Vdss444:
電流_連續漏極333Id4440a025000C:
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:
Id時的Vgs333th444(最大):
閘電荷333Qg4440a0Vgs:
輸入電容333Ciss4440a0Vds:
功率_最大:
安裝類型:
封裝/外殼:
供應商設備封裝:
包裝:

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