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PMWD16UN,518 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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PMWD16UN,518詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫歐 @ 3.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):700mV @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:23.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1366pF @ 16V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-TSSOP
包裝:Digi-Reel®

PMWD16UN,518詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫歐 @ 3.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):700mV @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:23.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1366pF @ 16V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-TSSOP
包裝:剪切帶 (CT)

PMWD16UN,518詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫歐 @ 3.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):700mV @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:23.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1366pF @ 16V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-TSSOP
包裝:帶卷 (TR)

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