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PSMN1R6-40YLC,115 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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PSMN1R6-40YLC,115詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK-SO8
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.55 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.95V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:126nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7790pF @ 20V
功率_最大:288W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT1023,4-LFPAK
供應商設備封裝:LFPAK,Power-SO8
包裝:剪切帶 (CT)

PSMN1R6-40YLC,115詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK-SO8
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.55 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.95V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:126nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7790pF @ 20V
功率_最大:288W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT1023,4-LFPAK
供應商設備封裝:LFPAK,Power-SO8
包裝:帶卷 (TR)

PSMN1R6-40YLC,115詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK-SO8
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.55 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.95V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:126nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7790pF @ 20V
功率_最大:288W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT1023,4-LFPAK
供應商設備封裝:LFPAK,Power-SO8
包裝:Digi-Reel®

PSMN1R6-40YLC,115供應商

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