PUMD9,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN/PNP 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:6-TSSOP
- 包裝:剪切帶 (CT)
PUMD9,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN/PNP 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:6-TSSOP
- 包裝:帶卷 (TR)
PUMD9,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN/PNP 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:6-TSSOP
- 包裝:Digi-Reel®
PUMD9,135詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN/PNP 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:6-TSSOP
- 包裝:帶卷 (TR)
PUMD9,165詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN/PNP 50V 100MA 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:6-TSSOP
- 包裝:帶卷 (TR)
PUMD9,165詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT363
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SC-88
- 包裝:*
- 配件 Melexis Technologies NV 1210(3225 公制) BOARD DAUGHTER MNT LIN PTC-04
- DC DC Converters Texas Instruments 14-SIP 模塊 REGULATOR 5V 6A VERT
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS NPN/PNP 50V 100MA 6TSSOP
- 單二極管/齊納 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ZENER 10V 250MW SOD-882
- 三端雙向可控硅開關 Littelfuse Inc TO-220-3 隔離接片,成形引線 GATE TRIAC ISOL 15A 400V TYPE 59
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 寬 2512(6432 公制),1225 RES 76.8 OHM 2W 1% 1225 WIDE
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210(3225 公制) RES .75 OHM 1/3W 5% 1210 SMD
- 配件 Melexis Technologies NV 1210(3225 公制) BOARD DAUGHTER MNT LIN PTC-04
- DC DC Converters Texas Instruments 14-SIP 模塊 REGULATOR 12V-5V 6A SIP W/CU ST
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 寬 2512(6432 公制),1225 RES 787 OHM 2W 1% 1225 WIDE
- 三端雙向可控硅開關 Littelfuse Inc TO-220-3 隔離片 TRIAC 400V 15A ISO TO-220
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1218(3246 公制) RES .12 OHM 1W 5% 1218 SMD
- DC DC Converters Texas Instruments 14-SIP SMD 模塊 REGULATOR +12V-1.8V 7A SIP HSMD
- 配件 Melexis Technologies NV BOARD DAUGHTER MNT LIN PTC-04
- 單二極管/齊納 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ZENER 11V 250MW SOD-882
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