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QS6M4TR 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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QS6M4TR詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V,20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:230 毫歐 @ 1.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:80pF @ 10V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商設備封裝:TSMT6
包裝:剪切帶 (CT)

QS6M4TR詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V,20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:230 毫歐 @ 1.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:80pF @ 10V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商設備封裝:TSMT6
包裝:Digi-Reel®

QS6M4TR詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V,20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:230 毫歐 @ 1.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:80pF @ 10V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商設備封裝:TSMT6
包裝:帶卷 (TR)

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