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QS8J1TR 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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QS8J1TR詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT8
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:29 毫歐 @ 4.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2450pF @ 6V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TSMT8
供應商設備封裝:TSMT8
包裝:剪切帶 (CT)

QS8J1TR詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT8
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:29 毫歐 @ 4.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2450pF @ 6V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TSMT8
供應商設備封裝:TSMT8
包裝:帶卷 (TR)

QS8J1TR詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT8
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:29 毫歐 @ 4.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2450pF @ 6V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TSMT8
供應商設備封裝:TSMT8
包裝:Digi-Reel®

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