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QSX8TR 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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QSX8TR詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS GP NPN 30V 1A SMT6
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):350mV @ 25mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:270 @ 100mA,2V
功率_最大:1.25W
頻率_轉換:320MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-95-6
供應商設備封裝:TSMT6
包裝:剪切帶 (CT)

QSX8TR詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS GP NPN 30V 1A SMT6
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):350mV @ 25mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:270 @ 100mA,2V
功率_最大:1.25W
頻率_轉換:320MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-95-6
供應商設備封裝:TSMT6
包裝:Digi-Reel®

QSX8TR詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS GP NPN 30V 1A SMT6
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):350mV @ 25mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:270 @ 100mA,2V
功率_最大:1.25W
頻率_轉換:320MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-95-6
供應商設備封裝:TSMT6
包裝:帶卷 (TR)

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