RG2012P-2801-B-T5 全國供應商、價格、PDF資料

RG2012P-2801-B-T5詳細規格

類別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES 2.80K OHM 1/8W .1% 0805

系列：RG

制造商：Susumu

電阻333Ω444：2.8k

功率333W444：0.125W，1/8W

成分：薄膜

特性：-

溫度系數：±25ppm/°C

容差：±0.1%

封裝/外殼：0805（2012 公制）

供應商器件封裝：0805（2012 公制）

大小/尺寸：0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm）

高度：0.020"（0.50mm）

端子數：2

包裝：帶卷 (TR)

• RJK0328DPB-00#J0

  FET - 單    Renesas Electronics America    SC-100，SOT-669    MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

• RG2012P-4750-B-T5

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    0805（2012 公制）    RES 475 OHM 1/8W .1% 0805 SMD

• RCL121836R0JNEK

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    寬 1812（4532 公制），1218    RES 36 OHM 1W 5% 1218 WIDE

• RG2012P-274-B-T1

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    0805（2012 公制）    RES 270K OHM 1/8W .1% 0805

• REF102AU/2K5G4

  PMIC - 電壓基準    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC VREF SERIES PREC 10V 8-SOIC

• RCL12254R32FKEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    寬 2512（6432 公制），1225    RES 4.32 OHM 2W 1% 1225 WIDE

• M83723/78R10026

  連接器，互連器件    Amphenol Industrial Operations    寬 2512（6432 公制），1225    CONN PLUG 2POS STRAIGHT W/PINS

• RMCF0805FT8M20

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0805（2012 公制）    RES TF 1/8W 8.2M OHM 1% 0805

• RJK0328DPB-00#J0

  FET - 單    Renesas Electronics America    SC-100，SOT-669    MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

• RG2012P-4750-W-T1

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    0805（2012 公制）    RES 475 OHM 1/8W .05% 0805

• RCL121838R3FKEK

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    寬 1812（4532 公制），1218    RES 38.3 OHM 1W 1% 1218 WIDE

• M83723/78R10056

  連接器，互連器件    TE Connectivity    寬 1812（4532 公制），1218    CONN PLUG 5POS STRGHT W/PINS

• RCL12254R70JNEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    寬 2512（6432 公制），1225    RES 4.7 OHM 2W 5% 1225 WIDE

• RMCF0805FT909K

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0805（2012 公制）    RES 909K OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• RJK0329DPB-00#J0

  FET - 單    Renesas Electronics America    SC-100，SOT-669    MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK