RG2012P-4750-B-T1 全國供應商、價格、PDF資料

RG2012P-4750-B-T1詳細規格

類別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES 475 OHM 1/8W .1% 0805

系列：RG

制造商：Susumu

電阻333Ω444：475

功率333W444：0.125W，1/8W

成分：薄膜

特性：-

溫度系數：±25ppm/°C

容差：±0.1%

封裝/外殼：0805（2012 公制）

供應商器件封裝：0805（2012 公制）

大小/尺寸：0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm）

高度：0.020"（0.50mm）

端子數：2

包裝：帶卷 (TR)

• RJK005N03T146

  FET - 單    Rohm Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346

• RG2012P-473-B-T1

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    0805（2012 公制）    RES 47.0K OHM 1/8W .1% 0805

• RCL1218365KFKEK

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    寬 1812（4532 公制），1218    RES 365K OHM 1W 1% 1218 WIDE

• RG2012P-2742-B-T5

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    0805（2012 公制）    RES 27.4K OHM 1/8W .1% 0805 SMD

• REF1004I-2.5E4

  PMIC - 電壓基準    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC VREF SHUNT 2.5V 8-SOIC

• RCL12254R22FKEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    寬 2512（6432 公制），1225    RES 4.22 OHM 2W 1% 1225 WIDE

• M83723/77W2461N

  連接器，互連器件    Amphenol Industrial Operations    寬 2512（6432 公制），1225    CONN PLUG 61POS STRAIGHT W/SCKT

• RJK0304DPB-00#J0

  FET - 單    Renesas Electronics America    SC-100，SOT-669    MOSFET N-CH 30V 35A 5-LFPAK

• RMCF0805FT887K

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0805（2012 公制）    RES TF 887K OHM 1% 0.125W 0805

• REF102AU

  PMIC - 電壓基準    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC VREF SERIES PREC 10V 8-SOIC

• RG2012P-2743-B-T1

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    0805（2012 公制）    RES 274K OHM 1/8W .1% 0805

• RCL12254R30JNEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    寬 2512（6432 公制），1225    RES 4.3 OHM 2W 5% 1225 WIDE

• M83723/77W803N

  連接器，互連器件    Amphenol Industrial Operations    寬 2512（6432 公制），1225    CONN PLUG 3POS STRAIGHT W/SCKT

• RMCF0805FT88R7

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0805（2012 公制）    RES 88.7 OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• RJK0328DPB-00#J0

  FET - 單    Renesas Electronics America    SC-100，SOT-669    MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK